公开(公告)号：CN111739927B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202010186965.X

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜声珉 ,  金炅泯 ,  金荣睦 ,  禹珉希

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。

公开(公告)号：CN111725294A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911296982.2

申请日：2019-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李演光 ,  姜声珉 ,  金敬珉 ,  禹珉希 ,  姜俊求 ,  金荣睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。

公开(公告)号：CN111725294B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911296982.2

申请日：2019-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李演光 ,  姜声珉 ,  金敬珉 ,  禹珉希 ,  姜俊求 ,  金荣睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。

公开(公告)号：CN111739927A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010186965.X

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜声珉 ,  金炅泯 ,  金荣睦 ,  禹珉希

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。

公开(公告)号：CN111682009A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201910997727.4

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹珉希 ,  姜声珉 ,  姜俊求 ,  高升希 ,  金荣睦

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路(IC)芯片包括在穿过基板和器件层的通孔内延伸的过孔接触插塞、围绕过孔接触插塞的通孔接触衬层、沿基板的底面延伸的连接焊盘衬层、一体连接到过孔接触插塞的虚设凸块结构以及连接到连接焊盘衬层的凸块结构。一种制造IC芯片的方法包括：在通孔内部和外部形成凸块下金属(UBM)层；以及形成第一连接金属层、第二连接金属层和第三连接金属层。第一连接金属层覆盖通孔内的UBM层，第二连接金属层一体连接到第一连接金属层，并且第三连接金属层覆盖连接焊盘衬层上的UBM层。