公开(公告)号：CN107086248B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。

公开(公告)号：CN107086248A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。