公开(公告)号：CN105633085A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510795235.9

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  卢镇铉 ,  金寿台 ,  李炳烈 ,  张成熏 ,  全钟声

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/945

Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。

公开(公告)号：CN105633085B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201510795235.9

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  卢镇铉 ,  金寿台 ,  李炳烈 ,  张成熏 ,  全钟声

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。

公开(公告)号：CN107086248B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。

公开(公告)号：CN114444249A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111289296.X

申请日：2021-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S·Y·韩 ,  金在珉 ,  金宰浩 ,  都支星 ,  白康铉 ,  辛荣圭 ,  张成熏 ,  赵泳俊 ,  崔允智

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/20

Abstract: 一种半导体设计自动化系统包括：仿真器，其被配置为生成仿真数据；恢复模块，其被配置为校正仿真数据的采样错误以生成恢复仿真数据；硬件数据模块，其被配置为生成真实数据；预处理模块，其被配置为对真实数据进行预处理以生成预处理的真实数据；数据库，其被配置为存储恢复仿真数据和预处理的真实数据；第一图形用户界面，其包括自动仿真生成器，该自动仿真生成器被配置为生成恢复仿真数据和预处理的真实数据的机器学习模型并从机器学习模型生成预测的真实数据；以及第二图形用户界面，其包括可视化单元，该可视化单元被配置为从机器学习模型生成可视化的虚拟化工艺结果。

公开(公告)号：CN107086248A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。