公开(公告)号：CN111725294B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911296982.2

申请日：2019-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李演光 ,  姜声珉 ,  金敬珉 ,  禹珉希 ,  姜俊求 ,  金荣睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。

公开(公告)号：CN111725294A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911296982.2

申请日：2019-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李演光 ,  姜声珉 ,  金敬珉 ,  禹珉希 ,  姜俊求 ,  金荣睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。