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公开(公告)号:CN111682009A
公开(公告)日:2020-09-18
申请号:CN201910997727.4
申请日:2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路(IC)芯片包括在穿过基板和器件层的通孔内延伸的过孔接触插塞、围绕过孔接触插塞的通孔接触衬层、沿基板的底面延伸的连接焊盘衬层、一体连接到过孔接触插塞的虚设凸块结构以及连接到连接焊盘衬层的凸块结构。一种制造IC芯片的方法包括:在通孔内部和外部形成凸块下金属(UBM)层;以及形成第一连接金属层、第二连接金属层和第三连接金属层。第一连接金属层覆盖通孔内的UBM层,第二连接金属层一体连接到第一连接金属层,并且第三连接金属层覆盖连接焊盘衬层上的UBM层。