公开(公告)号：CN109564937A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201680088382.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R.皮拉里塞蒂 ,  J.M.罗伯茨 ,  D.J.米夏拉克 ,  Z.R.约斯科维茨 ,  J.S.克拉克

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/12 ,  H01L29/127 ,  H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/82

Abstract: 本文公开的是量子点装置以及相关计算装置和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点装置可包括：量子阱堆叠，包括量子阱层；多个第一栅极，布置在量子阱堆叠上方，其中至少两个第一栅极在量子阱堆叠上方沿第一维度分隔开，至少两个第一栅极在量子阱堆叠上方沿第二维度分隔开，并且第一和第二维度是垂直的；和第二栅极，布置在量子阱堆叠上方，其中第二栅极在沿第一维度分隔开的至少两个第一栅极之间延伸，并且第二栅极在沿第二维度分隔开的至少两个第一栅极之间延伸。

公开(公告)号：CN109564935A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201680088366.6

申请日：2016-08-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J.S.克拉克 ,  R.L.布里斯托尔 ,  R.皮拉里塞蒂 ,  J.M.罗伯茨 ,  H.C.乔治 ,  N.K.托马斯

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/12 ,  H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/80 ,  H01L29/82

Abstract: 本文公开的是量子点装置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆，其包括量子阱层；和设置在量子阱堆上方的多个栅极，其中该多个栅极中的个体栅极具有带有两个相对线性面和两个相对曲面的占用面积形状。

公开(公告)号：CN108886061A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201880001516.4

申请日：2018-01-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的自旋流磁化旋转元件具备第一铁磁性金属层和自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线为自旋传导层和界面自旋生成层交替叠层的结构，上述界面自旋生成层的数为两层以上，上述自旋轨道转矩配线中，上述界面自旋生成层中的一层最接近于上述第一铁磁性金属层。

公开(公告)号：CN108780780A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017315.9

申请日：2017-02-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 濑岛幸一

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 根据本公开的一个实施例，非易失性存储器元件设置有：被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；设置在第一电极与第二电极之间的第一磁性材料层和第二磁性材料层；设置在第一磁性材料层与第二磁性材料层之间的绝缘材料层；以及设置在第一磁性材料层周围的磁性材料氧化膜。

公开(公告)号：CN108370250A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680068300.0

申请日：2016-09-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 神田泰夫 ,  横山孝司

IPC: H03K19/003 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/177

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C14/0081 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H03K19/003 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/00392 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/177

Abstract: 本技术涉及能够提高成品率的半导体装置。本发明的易失性存储电路具有存储节点，并且存储输入的信息。多个非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性存储电路的存储节点，并且用于控制非易失性元件的控制线分别连接到非易失性元件。这样，非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性逻辑电路，从而提高成品率。本技术可适用于半导体装置。

公开(公告)号：CN108292703A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068769.4

申请日：2016-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H03B15/00

CPC classification number: G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H03B15/00

Abstract: 本发明提供一种自旋流磁化反转元件，具备：第一铁磁性金属层，可改变磁化方向；自旋轨道转矩配线，沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，上述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1-x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，上述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，上述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素，且为具有空间群Pm-3m或Fd-3m的对称性的立方晶结构，或上述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，上述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素，且为具有空间群Fm-3m的对称性的立方晶结构。

公开(公告)号：CN104459273B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410469937.3

申请日：2014-09-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  V·施特鲁茨 ,  H·托伊斯

IPC: G01R19/00

CPC classification number: H01L29/82 ,  G01R15/207 ,  G01R19/0092 ,  G01R33/0047 ,  G01R33/0052 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105

Abstract: 一种用于感测测量电流的电流传感器设备，包括具有磁场敏感元件的半导体芯片。电流传感器设备还包括在其中嵌入所述半导体芯片的包封物。被配置用于承载所述测量电流的导体与所述磁场敏感元件电绝缘。重分布结构包括第一金属层，所述第一金属层具有形成所述导体的一部分的第一构造部分。

公开(公告)号：CN103956180B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410208924.0

申请日：2009-03-23

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 威廉·H·夏

IPC: G11C11/16 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C5/063 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  H01L29/82 ,  Y10S977/933

Abstract: 本申请涉及磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元的阵列结构设计。本发明揭示自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)位单元。所述位单元包括形成于第一平面中的源极线和形成于第二平面中的位线。所述位线具有与所述源极线的纵轴平行的纵轴，且所述源极线与所述位线的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN104067343B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280061660.X

申请日：2012-12-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 乔伊迪普·古哈

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明提供了用于形成MRAM(磁阻随机访问存储器)设备的方法。下电极组件被形成。磁结组件被形成，包括在下电极组件上沉积磁结组件层、在磁结组件层上形成图案化掩模、蚀刻磁结组件层以形成具有间隙的磁结组件、间隙填充磁结组件以及使所述磁结组件平整化。上电极组件被形成。

公开(公告)号：CN103188992B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201180043197.1

申请日：2011-08-30

Applicant: 柯尼卡美能达先进多层薄膜株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 西川卓男 ,  安藤康夫

IPC: A61B5/05

CPC classification number: A61B5/04007 ,  A61B5/04008 ,  A61B5/6803 ,  A61B2562/0223 ,  A61B2562/046 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1269 ,  H01F10/3254 ,  H01L27/22 ,  H01L29/82

Abstract: 提供一种通过能够在常温下使用的磁传感器高精度地测量生物磁场的生物磁场测量装置、生物磁场测量系统以及生物磁场测量方法。在本实施方式中，基于与隧道磁阻元件（TMR元件67）的电阻的变化相应的输出信号，测量生物磁场。输出单一的输出信号的磁传感器由在输入输出电极之间格子配列TMR元件而组成的TMR阵列（68）构成。将各磁传感器配置在一个轴或者互相正交的两个轴或者三个轴方向，靠近人体的表面的一部分（例如头部），从而使多个磁传感器分布在该人体的表面的一部分的基础上，获得来自多个磁传感器的输出信号，基于这些输出信号测量从该人体的表面的一部分发出的生物磁场。