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公开(公告)号：CN107026233B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610902615.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
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公开(公告)号：CN109560191B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811060554.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。
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公开(公告)号：CN107026233A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610902615.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
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公开(公告)号：CN106953003A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610849477.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性存储器件，该磁性存储器件包括磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在第一自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层。第一自由层包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，该第一自由磁性图案具有与隧道势垒层直接接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第二自由磁性图案与第二表面接触。第二自由磁性图案包括铁‑镍(FeNi)，且第二自由磁性图案的镍含量在从大约10at％到大约30at％的范围内。
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公开(公告)号：CN111525025A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010004334.1
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一个实施例中，提供了一种磁存储器件。所述磁存储器件包括：自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向。所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金。所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103427017A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310055478.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN109560191A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811060554.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11C11/161
Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。
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公开(公告)号：CN104051608B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410083532.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括：第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
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公开(公告)号：CN103427017B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310055478.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN104051608A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410083532.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁致电阻结构及其制造方法、及磁随机存取存储器件。一种磁致电阻结构包括：第一磁性层，其具有被固定的磁化方向；第二磁性层，其对应于第一磁性层，其中第二磁性层的磁化方向是可变的；以及磁致电阻（MR）增强层和中间层，二者都在第一磁性层和第二磁性层之间。一种磁随机存取存储器件可以包括前述磁致电阻结构。
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