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公开(公告)号：CN101625890A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158688.5
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
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公开(公告)号：CN101625890B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910158688.5
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
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公开(公告)号：CN103794247B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201310484627.4
申请日：2013-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供了使用可变电阻材料的非易失性存储装置。第一箝位单元连接在电阻存储器单元和第一感测节点之间，向电阻存储器单元提供第一箝位偏压。第一箝位偏压随时间而变化。第一补偿单元向第一感测节点提供补偿电流。第一感测放大器，连接到第一感测节点，以感测第一感测节点的电平变化。响应于第一数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去第一时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。响应于不同于第一数据的第二数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去不同于第一时间量的第二时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。
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公开(公告)号：CN103794247A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310484627.4
申请日：2013-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供了使用可变电阻材料的非易失性存储装置。第一箝位单元连接在电阻存储器单元和第一感测节点之间，向电阻存储器单元提供第一箝位偏压。第一箝位偏压随时间而变化。第一补偿单元向第一感测节点提供补偿电流。第一感测放大器，连接到第一感测节点，以感测第一感测节点的电平变化。响应于第一数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去第一时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。响应于不同于第一数据的第二数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去不同于第一时间量的第二时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。
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