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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116419657A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211510412.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有相对高的隧穿磁阻(TMR)率。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的钉扎层；与所述钉扎层的第一表面接触地设置的晶种层；设置成面对所述钉扎层的第二表面的自由层；以及设置在所述钉扎层和所述自由层之间的隧道势垒层，其中所述晶种层包括面对所述钉扎层的第一表面的第一晶种层以及在所述第一晶种层和所述钉扎层之间的第二晶种层，所述第一晶种层包括CoFeX且不包括硼(B)，并且X包括选自铌(Nb)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、锆(Zr)、和铪(Hf)的至少一种元素。所述晶种层可不包括硼，且所述第二晶种层包括非晶钽(Ta)。
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公开(公告)号：CN120021408A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202410906702.X
申请日：2024-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁隧道结元件和包括磁隧道结元件的存储器件。磁隧道结元件包括：彼此面对的钉扎层和自由层；在钉扎层上的缓冲层；在缓冲层上的辅助层；在辅助层和自由层之间的极化增强层；以及在极化增强层和自由层之间的隧道阻挡层，其中缓冲层为非晶态并且包括CoFeBX，并且X为W、Mo、Re或Ta，辅助层包括W、Mo或Ta。
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公开(公告)号：CN118843322A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311646466.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：(i)参考磁性图案和自由磁性图案，其相对于衬底的表面被垂直对齐地堆叠，以及(ii)隧道势垒图案，其在参考磁性图案与自由磁性图案之间延伸。参考磁性图案包括：第一钉扎图案和第二钉扎图案，第二钉扎图案在第一钉扎图案与隧道势垒图案之间延伸；以及交换耦合图案，其在第一钉扎图案与第二钉扎图案之间延伸并将第一钉扎图案和第二钉扎图案彼此反铁磁地耦合。第一钉扎图案包括第一磁性图案和第二磁性图案，第二磁性图案在第一磁性图案与交换耦合图案之间延伸。第一磁性图案和第二磁性图案中的一者包括：钴、铂、和包括Nb、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ti中的至少一者的第一非磁性元素，而第一磁性图案和第二磁性图案中的另一者包括钴。
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公开(公告)号：CN116367699A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211664109.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了合成反铁磁体、磁隧道结器件和存储装置。该合成反铁磁体包括：具有第一表面的第一铁磁性层；第二铁磁性层，具有面对第一铁磁性层的第一表面的第二表面；以及设置在第一铁磁性层和第二铁磁性层之间的第一非磁性层，其中第一铁磁性层具有倾斜的垂直磁各向异性(PMA)，其中第一铁磁性层的磁化方向从垂直于第一表面和第二表面的第一方向倾斜，第一铁磁性层的磁化方向在第一方向上的分量和第二铁磁性层的磁化方向在第一方向上的分量彼此相反。
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公开(公告)号：CN115707254A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210693231.X
申请日：2022-06-17
Abstract: 一种磁性存储器件包括：导电线，所述导电线在第一方向上延伸；磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构位于所述导电线的第一表面上，所述磁性隧道结结构包括至少两个磁性图案和位于所述至少两个磁性图案之间的阻挡图案；以及磁性层，所述磁性层位于所述导电线的与所述第一表面相对的第二表面上。所述磁性层包括在与所述第二表面平行并与所述第一方向相交的方向上的磁化分量。
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