公开(公告)号：CN1752852B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200510105132.1

申请日：2005-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。

公开(公告)号：CN101398639A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211419.6

申请日：2008-09-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 李智鲜 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。

公开(公告)号：CN101256366A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN101256366B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN1752852A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510105132.1

申请日：2005-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N－甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。

公开(公告)号：CN107034028B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

Abstract: 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

公开(公告)号：CN107034028A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09D9/005 ,  B32B37/0046 ,  B32B43/006 ,  B32B2383/00 ,  B32B2457/14 ,  C09D9/04 ,  C09J183/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/323 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057

Abstract: 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。