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公开(公告)号：CN112349680A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010766570.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括下布线、在下布线上的上布线以及在下布线与上布线之间的过孔。下布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面，上布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面，并且过孔具有与下布线的第二端表面相邻的第一侧面和与上布线的第三端表面相邻的第二侧面。过孔的第一侧面的下端与下布线的第二端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3，并且过孔的第二侧面的上端与上布线的第三端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3。
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公开(公告)号：CN100576537C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610144646.2
申请日：2006-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/1211 , H01L29/66795
Abstract: 公开了用于使用第一硬掩模图形来限定有源区和第二硬掩模图形来保护有源区之间的部分绝缘区，形成FinFET方法。所得场绝缘结构具有由从通过有源区的表面限定的基准面的垂直偏移区别开的三个不同区域。这三个区域将包括在由镶嵌蚀刻所得的凹陷开口中的下表面、中间表面和横向场绝缘区的剩余部分上的上表面。基准面和中间表面之间的通常对应将导致抑制或者消除在形成栅电极期间该区域中的残留栅电极材料，由此改进相邻有源区之间的电隔离并改进所得半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN1967842A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610144646.2
申请日：2006-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/1211 , H01L29/66795
Abstract: 公开了用于使用第一硬掩模图形来限定有源区和第二硬掩模图形来保护有源区之间的部分绝缘区，形成FinFET方法。所得场绝缘结构具有由从通过有源区的表面限定的基准面的垂直偏移区别开的三个不同区域。这三个区域将包括在由镶嵌蚀刻所得的凹陷开口中的下表面、中间表面和横向场绝缘区的剩余部分上的上表面。基准面和中间表面之间的通常对应将导致抑制或者消除在形成栅电极期间该区域中的残留栅电极材料，由此改进相邻有源区之间的电隔离并改进所得半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN106557311B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201610814011.2
申请日：2016-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W36/06
Abstract: 提供了一种电子装置及其执行无线通信的方法。所述电子装置包括：通信模块，被配置为支持与使用第一频带和第二频带的外部装置进行短距离无线通信；处理器，电连接到通信模块；存储器，电连接到处理器，其中，存储器存储指令，其中，所述指令在被执行时促使处理器进行以下操作：响应于功能执行请求，确认功能的特征和周围网络环境信息中的至少一个；基于所述功能的特征和周围网络环境信息中的所述至少一个，通过外部装置的第一频带和第二频带中的一个频带来执行所述功能。
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公开(公告)号：CN106557311A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610814011.2
申请日：2016-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/44
CPC classification number: H04W72/02 , H04W36/06 , H04W48/00 , H04W72/0453 , H04W72/0486 , H04W84/12 , H04W88/02 , G06F9/44
Abstract: 提供了一种电子装置及其执行无线通信的方法。所述电子装置包括：通信模块，被配置为支持与使用第一频带和第二频带的外部装置进行短距离无线通信；处理器，电连接到通信模块；存储器，电连接到处理器，其中，存储器存储指令，其中，所述指令在被执行时促使处理器进行以下操作：响应于功能执行请求，确认功能的特征和周围网络环境信息中的至少一个；基于所述功能的特征和周围网络环境信息中的所述至少一个，通过外部装置的第一频带和第二频带中的一个频带来执行所述功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897255B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610105585.9
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/4238 , H01L29/66795 , H01L29/7802 , H01L29/7827 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7853
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可以防止由交叉有源区的主轴中的元件隔离层的栅电极引起的漏电流，还具有垂直沟道，以提供足够的重叠余量，以及使用上述方法制造的半导体器件。该器件包括在元件隔离层上形成的栅电极，元件隔离层布置在有源区之间，以及具有高于有源区顶表面的顶表面。由于栅电极形成在元件隔离层上，半导体衬底中的漏电流被防止。此外，使用条纹形状的掩模图形形成栅电极，由此与接触形状或条形图形相比获得足够的重叠余量。
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公开(公告)号：CN100468738C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN03147820.4
申请日：2003-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L21/76895 , H01L27/10814 , H01L28/91
Abstract: 一种半导体设备包括半导体衬底和形成于半导体衬底之上的中间绝缘层。中间绝缘层优选地包含一个接触焊盘。电容器下电极与接触焊盘电连接。电容器下电极还包括与接触焊盘相连的焊盘形状存储节点；和置于焊盘形状存储节点之上的杯状存储节点。使用这种方法，可以增加电容容量并降低非开放接触。同样可显著减少发生存储节点倾斜问题的几率。
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公开(公告)号：CN1959990A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610126604.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/56
CPC classification number: H01L28/91 , G11C11/4091
Abstract: 提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
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公开(公告)号：CN100541804C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610126604.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/56
CPC classification number: H01L28/91 , G11C11/4091
Abstract: 提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
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公开(公告)号：CN100405600C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410032182.7
申请日：2004-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L28/91
Abstract: 一种自对准内埋接触(BC)对，包括：衬底，具有多个扩散区；氧化物层，露出形成在衬底上的扩散区对；位线，相邻的扩散区之间，并且位于氧化物层上，位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片；第一层间介质(ILD)层，在位线和氧化物层上形成；BC焊盘对，形成在相邻的位线之间并且在第一ILD层中，BC焊盘对的每一个与露出的衬底中的一个扩散区对准；以及一对电容器，BC焊盘对的每个具有形成在其上的一个电容器对，其中一对位线侧壁隔片与BC焊盘的每一个相邻并且位线侧壁隔片对具有不对称形状。
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