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公开(公告)号：CN115884590A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211113874.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹喆柱
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一电容器结构，包括在基底上的多个第一存储电极、在所述多个第一存储电极上的第一上电极以及在所述多个第一存储电极与第一上电极之间的第一电容器介电层；以及第一下电极，在第一电容器结构与基底之间并且与第一电容器结构电连接。所述多个第一存储电极包括彼此间隔开的第一正常存储电极和第一虚设存储电极。第一正常存储电极与第一下电极电连接，并且第一虚设存储电极不与第一下电极电连接。
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公开(公告)号：CN100524696C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410062849.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L28/91
Abstract: 本发明公开了一种存储节点触点形成方法和用于半导体存储器中的结构。该存储节点触点形成方法和结构减少了传统技术所需的流程的数量并且提高了存储节点的关键尺寸以防止倾斜现象并降低半导体存储器件的制造成本。该方法包括一块包含至少一个通过绝缘层与存储单元晶体管的活性区接触的接触垫的半导体基板。为了电连接接触垫和将要在后面流程中形成的存储节点，该方法还包括形成T形存储节点触点，存储节点触点是由与接触垫上部接触的下部区域和在存储单元晶体管栅极长度方向延伸并且形成大于下部区域的尺寸的上部区域组成的。
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公开(公告)号：CN1312775C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200310119512.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L27/0207 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 在衬底的电容器接触区之间的第一绝缘层上形成具有第一导电图形和位线掩模图形的位线。在位线上形成第二氧化绝缘层和形成接触图形，以打开对应于部分第二绝缘层的存储节点接触孔区域。在刻蚀部分的侧壁上形成第一间隔物。刻蚀第二和第一绝缘层，以形成露出电容器接触区的存储节点接触孔。同时，在第一间隔物底下形成第二绝缘层的第二间隔物。第二导电层填充存储节点接触孔，以形成存储节点接触焊盘。由于位线掩模图形减小的厚度位线掩模图形损失减小，以及由于第二间隔物位线负载电容量减小。
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公开(公告)号：CN1577805A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062849.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L28/91
Abstract: 本发明公开了一种存储节点触点形成方法和用于半导体存储器中的结构。该存储节点触点形成方法和结构减少了传统技术所需的流程的数量并且提高了存储节点的关键尺寸以防止倾斜现象并降低半导体存储器件的制造成本。该方法包括一块包含至少一个通过绝缘层与存储单元晶体管的活性区接触的接触垫的半导体基板。为了电连接接触垫和将要在后面流程中形成的存储节点，该方法还包括形成T形存储节点触点，存储节点触点是由与接触垫上部接触的下部区域和在存储单元晶体管栅极长度方向延伸并且形成大于下部区域的尺寸的上部区域组成的。
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公开(公告)号：CN1319147C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410047416.5
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/30 , H01L21/822 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种利用牺牲掩模层形成自对准接触结构的方法。该方法包括在半导体衬底上形成多个平行互连图形。每个互连图形分别具有顺序层叠的互连和掩模图形。形成层间绝缘层图形以填充互连图形之间的间隙区域。部分蚀刻掩模图形，以形成确定层间绝缘层图形之间的凹槽的凹掩模图形。然后，形成用于填充凹槽的牺牲掩模图形。利用牺牲掩模图形作为蚀刻掩模，蚀刻层间绝缘层图形的预定区域，以形成露出半导体衬底的预定区域的自对准接触孔。由自对准接触孔的侧壁形成隔离片。在自对准接触孔内形成被隔离片包围的栓塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574282A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047416.5
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/30 , H01L21/822 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种利用牺牲掩模层形成自对准接触结构的方法。该方法包括在半导体衬底上形成多个平行互连图形。每个互连图形分别具有顺序层叠的互连和掩模图形。形成层间绝缘层图形以填充互连图形之间的间隙区域。部分蚀刻掩模图形，以形成确定层间绝缘层图形之间的凹槽的凹掩模图形。然后，形成用于填充凹槽的牺牲掩模图形。利用牺牲掩模图形作为蚀刻掩模，蚀刻层间绝缘层图形的预定区域，以形成露出半导体衬底的预定区域的自对准接触孔。由自对准接触孔的侧壁形成隔离片。在自对准接触孔内形成被隔离片包围的栓塞。
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公开(公告)号：CN1525570A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200310119512.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L27/0207 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 在衬底的电容器接触区之间的第一绝缘层上形成具有第一导电图形和位线掩模图形的位线。在位线上形成第二氧化绝缘层和形成接触图形，以打开对应于部分第二绝缘层的存储节点接触孔区域。在刻蚀部分的侧壁上形成第一隔片。刻蚀第二和第一绝缘层，以形成露出电容器接触区的存储节点接触孔。同时，在第一隔片底下形成第二绝缘层的第二隔片。第二导电层填充存储节点接触孔，以形成存储节点接触焊盘。由于位线掩模图形减小的厚度位线掩模图形损失减小，以及由于第二隔片位线负载电容量减小。
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公开(公告)号：CN115955909A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211135996.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置能够通过调整包括在用于支撑下电极的电极支撑件中的穿透图案的布置来改善装置的性能和可靠性。该半导体装置包括：多个下电极，在基底上沿着第一方向和与第一方向不同的第二方向重复布置；以及第一电极支撑件，支撑所述多个下电极，并且包括多个第一穿透图案，其中，第一电极支撑件包括中心区域和沿着中心区域的周界限定的边缘区域，其中，第一穿透图案包括在中心区域中以第一间隔间隔开的中心穿透图案，并且其中，第一穿透图案包括在边缘区域中以第二间隔间隔开的边缘穿透图案，第二间隔不同于第一间隔。
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公开(公告)号：CN100405600C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410032182.7
申请日：2004-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L28/91
Abstract: 一种自对准内埋接触(BC)对，包括：衬底，具有多个扩散区；氧化物层，露出形成在衬底上的扩散区对；位线，相邻的扩散区之间，并且位于氧化物层上，位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片；第一层间介质(ILD)层，在位线和氧化物层上形成；BC焊盘对，形成在相邻的位线之间并且在第一ILD层中，BC焊盘对的每一个与露出的衬底中的一个扩散区对准；以及一对电容器，BC焊盘对的每个具有形成在其上的一个电容器对，其中一对位线侧壁隔片与BC焊盘的每一个相邻并且位线侧壁隔片对具有不对称形状。
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公开(公告)号：CN1591821A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410032182.7
申请日：2004-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L28/91
Abstract: 一种自对准内埋接触(BC)对，包括：衬底，具有多个扩散区；氧化物层，露出形成在衬底上的扩散区对；位线，相邻的扩散区之间，并且位于氧化物层上，位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片；第一层间介质(ILD)层，在位线和氧化物层上形成；BC焊盘对，形成在相邻的位线之间并且在第一ILD层中，BC焊盘对的每一个与露出的衬底中的一个扩散区对准；以及一对电容器，BC焊盘对的每个具有形成在其上的一个电容器对，其中一对位线侧壁隔片与BC焊盘的每一个相邻并且位线侧壁隔片对具有对称形状。
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