公开(公告)号：CN1897255B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610105585.9

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙成 ,  郑泰荣 ,  申树浩

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可以防止由交叉有源区的主轴中的元件隔离层的栅电极引起的漏电流，还具有垂直沟道，以提供足够的重叠余量，以及使用上述方法制造的半导体器件。该器件包括在元件隔离层上形成的栅电极，元件隔离层布置在有源区之间，以及具有高于有源区顶表面的顶表面。由于栅电极形成在元件隔离层上，半导体衬底中的漏电流被防止。此外，使用条纹形状的掩模图形形成栅电极，由此与接触形状或条形图形相比获得足够的重叠余量。

公开(公告)号：CN1897255A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610105585.9

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙成 ,  郑泰荣 ,  申树浩

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可以防止由交叉有源区的主轴中的元件隔离层的栅电极引起的漏电流，还具有垂直沟道，以提供足够的重叠余量，以及使用上述方法制造的半导体器件。该器件包括在元件隔离层上形成的栅电极，元件隔离层布置在有源区之间，以及具有高于有源区顶表面的顶表面。由于栅电极形成在元件隔离层上，半导体衬底中的漏电流被防止。此外，使用条纹形状的掩模图形形成栅电极，由此与接触形状或条形图形相比获得足够的重叠余量。

公开(公告)号：CN100576537C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610144646.2

申请日：2006-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙成 ,  郑泰荣

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了用于使用第一硬掩模图形来限定有源区和第二硬掩模图形来保护有源区之间的部分绝缘区，形成FinFET方法。所得场绝缘结构具有由从通过有源区的表面限定的基准面的垂直偏移区别开的三个不同区域。这三个区域将包括在由镶嵌蚀刻所得的凹陷开口中的下表面、中间表面和横向场绝缘区的剩余部分上的上表面。基准面和中间表面之间的通常对应将导致抑制或者消除在形成栅电极期间该区域中的残留栅电极材料，由此改进相邻有源区之间的电隔离并改进所得半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN1967842A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610144646.2

申请日：2006-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙成 ,  郑泰荣

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了用于使用第一硬掩模图形来限定有源区和第二硬掩模图形来保护有源区之间的部分绝缘区，形成FinFET方法。所得场绝缘结构具有由从通过有源区的表面限定的基准面的垂直偏移区别开的三个不同区域。这三个区域将包括在由镶嵌蚀刻所得的凹陷开口中的下表面、中间表面和横向场绝缘区的剩余部分上的上表面。基准面和中间表面之间的通常对应将导致抑制或者消除在形成栅电极期间该区域中的残留栅电极材料，由此改进相邻有源区之间的电隔离并改进所得半导体器件的性能。