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公开(公告)号：CN1241023A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99109410.7
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/8239 , H01L27/04
Abstract: 制造有高介电常数介质膜的叠层式电容器的方法,其中存储器节点包括多晶硅层,阻挡金属层和带侧壁间隔层的过渡金属层。阻挡金属层和其侧壁间隔层防止多晶硅氧化。形成多晶硅层达到决定存储器节点高度的厚度。较薄地形成直接连接高介电常数介质膜的过渡金属层,以避免其倾斜腐蚀,因而可防止在各存储器节点与相邻节点之间的电桥。
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