公开(公告)号：CN109979938B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201811494404.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·奧布拉多维奇 ,  达尔门达·帕勒 ,  雷维基·森古普塔 ,  穆罕默德·阿里·普尔卡迪里

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上。介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。

公开(公告)号：CN109979938A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811494404.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·奧布拉多维奇 ,  达尔门达·帕勒 ,  雷维基·森古普塔 ,  穆罕默德·阿里·普尔卡迪里

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上。介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。