-
公开(公告)号：CN110402403A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880017603.9
申请日：2018-02-19
Abstract: 介绍了一种用于电子装置的保护膜。该保护膜可以包括：可变形的外层，利用合成树脂形成；可变形的改性材料层，与可变形的外层的下表面附着，其中，可变形的改性层被构造为响应于接收到的外部刺激而硬化；可变形的内层，利用合成树脂形成，与可变形的改性材料层的下表面附着；以及粘合层，粘合到可变形的内层的下表面。此外，可以根据本公开实施各种实施例。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1152626A
公开(公告)日：1997-06-25
申请号：CN96102265.5
申请日：1996-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: H01L21/67748 , C23C14/566 , H01J37/18 , H01J37/3244 , H01J37/32743 , H01J2237/184 , H01L21/67017 , H01L21/67201 , H01L21/67739 , Y10S414/139
Abstract: 提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚—引起的微粒形成。
-
公开(公告)号：CN1165637C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN96102265.5
申请日：1996-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: H01L21/67748 , C23C14/566 , H01J37/18 , H01J37/3244 , H01J37/32743 , H01J2237/184 , H01L21/67017 , H01L21/67201 , H01L21/67739 , Y10S414/139
Abstract: 提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚-引起的微粒形成。
-
公开(公告)号：CN1501445A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116459.X
申请日：1996-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/203 , H01L21/00 , C23C14/56
CPC classification number: H01L21/67748 , C23C14/566 , H01J37/18 , H01J37/3244 , H01J37/32743 , H01J2237/184 , H01L21/67017 , H01L21/67201 , H01L21/67739 , Y10S414/139
Abstract: 一种半导体器件制造设备，包括：用于制造半导体器件的加工室；用于与上述的加工室连通的许多装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用于降低上述的许多装料预真空室的压力的泵；使上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体，上述的排气管包括许多条支管，每条支管与每个装料预真空室连接，和包含具有预定部分在直径上不同于其余部分的主管，其一端与上述的许多条支管连接而另一端与上述的泵连接；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀。
-
公开(公告)号：CN110402403B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201880017603.9
申请日：2018-02-19
Abstract: 介绍了一种用于电子装置的保护膜。该保护膜可以包括：可变形的外层，利用合成树脂形成；可变形的改性材料层，与可变形的外层的下表面附着，其中，可变形的改性材料层被构造为响应于接收到的外部刺激而硬化；可变形的内层，利用合成树脂形成，与可变形的改性材料层的下表面附着；以及粘合层，粘合到可变形的内层的下表面。此外，可以根据本公开实施各种实施例。
-
公开(公告)号：CN1242456C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200310116459.X
申请日：1996-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/203 , H01L21/00 , C23C14/56
CPC classification number: H01L21/67748 , C23C14/566 , H01J37/18 , H01J37/3244 , H01J37/32743 , H01J2237/184 , H01L21/67017 , H01L21/67201 , H01L21/67739 , Y10S414/139
Abstract: 一种半导体器件制造设备，包括：用于制造半导体器件的加工室；用于与上述的加工室连通的许多装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用于降低上述的许多装料预真空室的压力的泵；使上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体，上述的排气管包括许多条支管，每条支管与每个装料预真空室连接，和包含具有预定部分在直径上不同于其余部分的主管，其一端与上述的许多条支管连接而另一端与上述的泵连接；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.055 seconds)
