公开(公告)号：CN1197121C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01136475.0

申请日：2001-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡胜基 ,  李相坤 ,  丁相赫 ,  许星镇

IPC: H01L21/00 ,  B01D53/00

CPC classification number: B01D53/70 ,  B01D2257/2066 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一种在半导体制造工艺中减少PFC散发的方法，该半导体制造工艺包括一组子工艺，每个子工艺产生至少一种PFC，该方法包括以下步骤：将由各个子工艺产生的PFC排放至公共管线以形成混合的排出气流；用分立的PFC消除系统处理来自各个子工艺的混合排出气流；混合经处理的排出气流以形成混合的经处理的气流，湿洗混合的经处理的气流。

公开(公告)号：CN1375858A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN01136475.0

申请日：2001-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡胜基 ,  李相坤 ,  丁相赫 ,  许星镇

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B01D53/70 ,  B01D2257/2066 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一种在半导体制造工艺中减少PFC散发的方法,该半导体制造工艺包括一组子工艺,每个子工艺产生至少一种PFC,该方法包括以下步骤:将由各个子工艺产生的PFC排放至公共管线以形成混合的排出气流;用分立的PFC消除系统处理来自各个子工艺的混合排出气流;混合经处理的排出气流以形成混合的经处理的气流,湿洗混合的经处理的气流。