公开(公告)号：CN119278594A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380038213.0

申请日：2023-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞壮善 ,  赵成焕 ,  金民锡 ,  李明吉 ,  曹光铉 ,  林群

IPC: H04B17/12 ,  H04B17/10 ,  H04B1/3827 ,  H04W52/28 ,  H04W52/52 ,  G06F3/041 ,  H04W52/30 ,  H04W52/38 ,  H04W52/02

Abstract: 根据各种实施例的电子装置包括：壳体；天线，布置在壳体内或形成在壳体的一部分处；握持传感器，检测外部对象的接触或靠近；以及处理器，可操作地连接到天线和握持传感器，其中处理器可配置为：识别握持传感器的第一感测值；如果所识别的第一感测值小于或等于第一参考值则确定天线的输出功率为第一强度；如果在识别第一感测值之后识别的握持传感器的第二感测值大于第一参考值且小于或等于比第一参考值大的第二参考值，则基于是否存在对电子装置的用户输入识别电子装置在使用中或未在使用中；以及如果电子装置未在使用中，则基于第三参考值和在识别第二感测值之后识别的握持传感器的第三感测值确定天线的输出功率为第一强度或小于其的第二强度。

公开(公告)号：CN1992190B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610171283.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张圆培 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  金民锡 ,  金治完 ,  李善鎔 ,  河商录

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。

公开(公告)号：CN101009191A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610172141.7

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承熙 ,  梁英守 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  张圆培 ,  金民锡

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种离子注入系统包括：源部分、束线部分、具有压盘的目标腔室、和具有剂量杯和第一可变筛孔的法拉第部分，其中，压盘能够沿第二方向移动且支撑半导体衬底，并且第一可变筛孔包括具有沿第一方向的第一可调宽度的第一开口。

公开(公告)号：CN1992190A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171283.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张圆培 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  金民锡 ,  金治完 ,  李善鎔 ,  河商录

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。