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公开(公告)号:CN1792475A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510120367.8
申请日:2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于净化半导体衬底的表面的干净化装置,所述装置包括:室,包括第一壁和第二壁;支撑构件,包括晶片接收表面;净化构件,用于从放置在所述支撑构件上的衬底的表面去除颗粒;和载气供给构件,用于供给载气和将从所述衬底的表面分离的颗粒传输到所述室的外部,其中,所述室的第一壁包括设置面对所述晶片接收表面的第一部分和与所述第一部分相邻形成且设置来接收部分的载气供给构件的第二部分。
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公开(公告)号:CN101013663A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200710008396.4
申请日:2007-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/306 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67086
Abstract: 提供了一种在化学池中具有加热部分的基片湿法处理设备及使用该设备对用于基片湿法处理的化学物质加热的方法。所述设备包括化学池,化学池含有用于基片湿法处理的化学物质。加热部分安装在化学池中,并且加热部分包括加热元件和容纳加热元件的外壳。在外壳中填充惰性气体。
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