-
公开(公告)号：CN109797376A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811268189.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
-
公开(公告)号：CN111816584B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010248840.5
申请日：2020-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。
-
公开(公告)号：CN109797379A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN111816584A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010248840.5
申请日：2020-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。
-
公开(公告)号：CN116487363A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310092437.1
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B41/27 , H10B41/30 , H10B43/30 , H10B43/27
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，包括具有单元阵列区域和延伸区域的衬底。模制结构包括交替堆叠在衬底上的多个栅电极和多个模制绝缘层，使得模制结构在远离单元阵列区域的方向上具有在延伸区域中向下成阶梯的阶梯形状。沟道结构贯穿单元阵列区域中的模制结构，并且单元接触结构贯穿延伸区域中的模制结构。单元接触结构的一部分与栅电极中的最上面栅电极的一部分接触。单元接触结构包括：第一部分，与栅电极中的最上面栅电极的侧表面接触；以及第二部分，与栅电极中的最上面栅电极的顶表面接触。第一部分的宽度小于第二部分的宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109797379B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN114725115A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111638773.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , G11C7/18 , G11C16/04
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括：存储单元结构，位于衬底上；以及虚设单元，位于所述存储单元结构的一侧。所述存储单元结构包括：存储堆叠结构，包括交替堆叠在所述衬底上的层间绝缘层和栅电极；沟道结构，穿透所述存储堆叠结构并接触所述衬底；以及第一分隔结构，穿透所述存储堆叠结构并在第一方向上延伸，以在第二方向上将所述栅电极彼此分隔开。所述虚设结构包括：虚设堆叠结构，与所述存储堆叠结构间隔开并且包括交替堆叠的第一绝缘层和虚设栅电极；虚设沟道结构，穿透所述虚设堆叠结构；和第二分隔结构，穿透所述虚设堆叠结构，并且在所述第二方向上延伸以在所述第一方向上将所述虚设栅电极彼此分隔开。
-
公开(公告)号：CN109473437A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811024862.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
-
公开(公告)号：CN109473437B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811024862.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
-
公开(公告)号：CN116615031A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310049127.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和包括该三维半导体存储器装置的电子系统。该半导体存储器装置可包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；多个堆叠件，其包括第一堆叠件和第二堆叠件，每个堆叠件包括衬底上的层间绝缘层和与层间绝缘层交替堆叠的栅电极，并且在第二区域上具有台阶结构；绝缘层，其位于第一堆叠件的台阶结构上；多个竖直沟道结构，其设置在第一区域上以穿透第一堆叠件；以及分离结构，将第一堆叠件和第二堆叠件彼此分离。绝缘层可包括一种或多种掺杂剂，并且绝缘层的掺杂剂浓度可随着距衬底的距离的增加而减小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.017 seconds)
