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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN114171519A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110932691.9

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 , 李民妵 , 金完敦 , 申铉振 , 李贤培 , 林炫锡

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。

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