-
公开(公告)号：CN117896986A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311209036.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其制造方法和包括其的电子系统。所述非易失性存储器件包括：基板，其包括第一区域和第二区域；模制结构，其位于基板上，并且包括以阶梯方式交替地堆叠在彼此之上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；层间绝缘膜，其覆盖模制结构；沟道结构，其位于第一区域上，并且延伸穿过模制结构并且连接到多个栅电极；以及贯通接触，其位于第二区域上并且延伸穿过层间绝缘膜，其中，贯通接触包括位于第一沟槽中的第一部分和位于第二沟槽中的第二部分，第一部分包括：衬垫膜，其沿着第一沟槽的侧壁和底表面；以及填充膜，其位于衬垫膜上，其中填充膜是多晶粒导电材料，并且第二部分是单晶粒导电材料。
-
公开(公告)号：CN109244078A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810749616.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。
-
公开(公告)号：CN106486461B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201610756035.7
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
-
公开(公告)号：CN111724828B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202010180730.X
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。
-
公开(公告)号：CN107393928B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710328970.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116056460A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211339831.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/27 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种电极结构、半导体装置和电子系统。电极结构包括：导电电极，该导电电极包括第一表面；绝缘层，其位于导电电极上，绝缘层与导电电极的第一表面接触；以及纳米点图案，其位于导电电极中并且与导电电极的第一表面间隔开，纳米点图案包括与导电电极的第一表面平行排列的纳米点，并且纳米点中的每个纳米点包括第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面与导电电极的第一表面相邻，第一侧表面是平坦的并且与导电电极的第一表面平行，第二侧表面与第一侧表面相对，第二侧表面在远离导电电极的第一表面的方向上凸起。
-
公开(公告)号：CN115172264A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210637213.X
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
-
公开(公告)号：CN114068574A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110879545.4
申请日：2021-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一基板上的电路元件；栅电极，在第二基板上并堆叠为在第一方向上彼此间隔开；牺牲绝缘层，在穿透第二基板的下贯穿绝缘层上，堆叠为在第一方向上彼此间隔开，并具有与栅电极相对的侧表面；沟道结构，穿透栅电极，在第二基板上垂直地延伸，并包括沟道层；第一分隔图案，穿透栅电极并包括第一阻隔图案和从第一阻隔图案在第二方向上延伸的第一图案部分；以及第二分隔图案，穿透栅电极，设置为平行于第一分隔图案并在第二方向上延伸。牺牲绝缘层的侧表面中的一些可以在第三方向上与第一阻隔图案重叠。
-
公开(公告)号：CN107393928A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710328970.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/30604 , H01L21/3115 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/1157 , H01L29/0649 , H01L29/36 , H01L27/11556
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
-
公开(公告)号：CN103378167A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310128627.0
申请日：2013-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11529 , H01L29/42332 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间。该界面层可包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.022 seconds)
