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公开(公告)号：CN101621083A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910139382.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN101593780A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910139390.X
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/0256 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P－N整流结。P－N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN101593780B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910139390.X
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/0256 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN101621083B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910139382.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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