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公开(公告)号：CN102751346A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210120788.0
申请日：2012-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/0336
CPC classification number: H01L31/043 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了太阳能电池。根据示例实施例，太阳能电池包括第一单元部分、第二单元部分和绝缘层。第一和第二单元部分可以具有不同的带隙，绝缘层可以在第一单元部分与第二单元部分之间。
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公开(公告)号：CN1323844C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410003797.7
申请日：2004-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种气泡式喷墨打印头及其制造方法，该打印头包括：衬底，其上设置有用于存储墨的墨室和用于加热墨的电阻发热体；以及，供墨通道，其穿透衬底并且与墨室连接。供墨通道包括第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽按第一图案形成在衬底的第一表面处，第一图案距至少墨室入口和相邻墨室之间的连接部分的其中之一具有间距，衬底的第一表面其上设置有墨室。第二沟槽按第二图案形成在衬底的第二表面处，在第一沟槽的第一图案的范围内具有等于第一沟槽的面积和小于第一沟槽的面积其中之一，并且与第一沟槽连通。
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公开(公告)号：CN101593780B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910139390.X
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/0256 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN1274502C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200310118714.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金允基
CPC classification number: B41J2/1631 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印头的加热装置及其制造方法，可以提高掺杂剂的均匀性，防止加热器的污染和阻值变化。该加热装置包括：衬底，位于衬底上并包括导电层的导线/电阻发热体图案，位于导线/电阻发热体图案中的多条导线；位于导线/电阻发热体图案中并用来加热墨水的多个电阻发热体；和形成在导线/电阻发热体图案上以保护导线/电阻发热体图案的保护层。在用导电层形成具有加热器和导线的导线/加热器图案之后，通过执行离子注入工艺以调节加热器和/或导线的电阻，将加热器和/或导线形成为具有一种掺入其中的掺杂剂。或者，加热器和导线可以分别由用加热器层和导线层制成的加热器图案和导线图案形成，取代用导电层形成导线/电阻发热体图案。
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公开(公告)号：CN1504333A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118714.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金允基
CPC classification number: B41J2/1631 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印头的加热装置及其制造方法，可以提高掺杂剂的均匀性，防止加热器的污染和阻值变化。该加热装置包括：衬底，位于衬底上并包括导电层的导线/电阻发热体图案，位于导线/电阻发热体图案中的多条导线；位于导线/电阻发热体图案中并用来加热墨水的多个电阻发热体；和形成在导线/电阻发热体图案上以保护导线/电阻发热体图案的保护层。在用导电层形成具有加热器和导线的导线/加热器图案之后，通过执行离子注入工艺以调节加热器和/或导线的电阻，将加热器和/或导线形成为具有一种掺入其中的掺杂剂。或者，加热器和导线可以分别由用加热器层和导线层制成的加热器图案和导线图案形成，取代用导电层形成导线/电阻发热体图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101621083B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910139382.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN1151550C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN00122482.4
申请日：2000-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/10885
Abstract: 一种在集成电路器件中形成自对准结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成多个互连图形；用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面；在帽盖绝缘层上形成上部层间绝缘层填充互连图形之间的间隙区域；依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层在互连图形之间形成第一接触孔；以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层，拓宽第一接触孔形成第二接触孔，露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。此方法提高了工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN1319886A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN00122482.4
申请日：2000-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/10885
Abstract: 一种在集成电路器件中形成自对准结构的方法,包括以下步骤:在衬底上形成多个互连图形;用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面;在帽盖绝缘层上形成上部层间绝缘层填充互连图形之间的间隙区域;依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层在互连图形之间形成第一接触孔;以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层,拓宽第一接触孔形成第二接触孔,露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。此方法提高了工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN101621083A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910139382.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN101593780A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910139390.X
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/0256 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P－N整流结。P－N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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