公开(公告)号：CN1758138B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

公开(公告)号：CN1758138A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。