公开(公告)号：CN110610842A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910371204.9

申请日：2019-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彣锡 ,  李天揆 ,  边益守 ,  宋昌宇 ,  郑盛夏 ,  韩东锡

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种低温蚀刻方法包括：冷却其上设置有晶片的基座；通过从通过气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻晶片；以及通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到腔室中。

公开(公告)号：CN104112480A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410150352.5

申请日：2014-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬淑 ,  朴钟必 ,  具权本 ,  金彣锡 ,  闵丙准

IPC: G11C29/56

CPC classification number: G01R31/2868

Abstract: 提供一种用于测试半导体装置的设备和方法。测试设备可用于测试半导体装置。所述测试设置可包括：栈式存储器部分，被配置为与服务器通信，其中，所述服务器包括用于测试半导体装置的测试程序；多个测试板部分，设置在所述栈式存储器部分中，测试板部分中的至少一个测试板部分包括设置在所述至少一个测试板部分上的半导体装置并被配置为向半导体装置提供来自服务器的至少一个测试程序。所述栈式存储器部分可包括：单元栈式存储器，所述单元栈式存储器包括被配置为固定多个测试板部分的架子；栈式存储器控制器，被配置为与服务器和单元栈式存储器中的测试板部分通信。