Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN110610842A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910371204.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金彣锡 , 李天揆 , 边益守 , 宋昌宇 , 郑盛夏 , 韩东锡
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种低温蚀刻方法包括：冷却其上设置有晶片的基座；通过从通过气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻晶片；以及通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到腔室中。
