光刻测量装置和光刻测量方法

    公开(公告)号:CN105319865B

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201510455256.6

    申请日:2015-07-29

    CPC classification number: G03F7/70641 G03F1/38 G03F1/44 H01L21/027 H01L21/0274

    Abstract: 一种光掩模包括焦距测量标记区域,该焦距测量标记区域包括多个焦距监控图案。为了测量形成在基板上的特征图案的焦距变化,使用用于光刻测量的基板对象,该基板对象包括形成在与特征图案相同的水平上的焦距测量标记。一种光刻测量装置包括:投射器件,包括偏振器;检测器件,检测由要被测量的基板的焦距测量标记衍射的输出光束当中的±n级衍射光束的功率;以及确定器件,从±n级衍射光束之间的功率偏差来确定特征图案所经受的散焦。

    离子发生装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1728482A

    公开(公告)日:2006-02-01

    申请号:CN200510008386.1

    申请日:2005-02-22

    Inventor: 朴荣植 权埈铉

    CPC classification number: H01T23/00

    Abstract: 一种离子发生装置,包括:离子发生器,其包括正离子发生电极和/或负离子发生电极,用于接收高电压以产生离子;高电压发生器,用于对离子发生器施加高电压;和控制器,用于改变施加到离子发生器上的高电压。所述离子发生装置通过改变施加到离子发生器的电极上的高电压可容易地改变从离子发生器产生的正或负离子的量,从而用户可方便地使用离子发生装置,而不论安装环境如何。

    具有重叠图案的半导体装置

    公开(公告)号:CN109817516A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201811384728.3

    申请日:2018-11-20

    Abstract: 一种半导体装置包括:半导体衬底,包括单元内区域及划片槽,所述划片槽界定所述单元内区域;第一重叠图案,位于所述半导体衬底上;以及第二重叠图案,邻近所述第一重叠图案,其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案,且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。

    具有重叠图案的半导体装置

    公开(公告)号:CN109817516B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN201811384728.3

    申请日:2018-11-20

    Abstract: 一种半导体装置包括:半导体衬底,包括单元内区域及划片槽,所述划片槽界定所述单元内区域;第一重叠图案,位于所述半导体衬底上;以及第二重叠图案,邻近所述第一重叠图案,其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案,且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。

    半导体器件
    6.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116613144A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310105816.X

    申请日:2023-02-13

    Abstract: 一种半导体器件包括:基板,包括套刻标记区域;以及在套刻标记区域上的多个标记图案。所述多个标记图案包括第一标记图案、第二标记图案、第三标记图案、第四标记图案、第五标记图案、第六标记图案和第七标记图案。第二标记图案至第七标记图案被排列为在顺时针方向上围绕第一标记图案并具有形成六边形形状的中心点。

    光刻测量装置和光刻测量方法

    公开(公告)号:CN105319865A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510455256.6

    申请日:2015-07-29

    CPC classification number: G03F7/70641 G03F1/38 G03F1/44 H01L21/027 H01L21/0274

    Abstract: 一种光掩模包括焦距测量标记区域,该焦距测量标记区域包括多个焦距监控图案。为了测量形成在基板上的特征图案的焦距变化,使用用于光刻测量的基板对象,该基板对象包括形成在与特征图案相同的水平上的焦距测量标记。一种光刻测量装置包括:投射器件,包括偏振器;检测器件,检测由要被测量的基板的焦距测量标记衍射的输出光束当中的±n级衍射光束的功率;以及确定器件,从±n级衍射光束之间的功率偏差来确定特征图案所经受的散焦。

    离子发生装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100527550C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200510008386.1

    申请日:2005-02-22

    Inventor: 朴荣植 权埈铉

    CPC classification number: H01T23/00

    Abstract: 一种离子发生装置,包括:离子发生器,其包括正离子发生电极和/或负离子发生电极,用于接收高电压以产生离子;高电压发生器,用于对离子发生器施加高电压;和控制器,用于改变施加到离子发生器上的高电压。所述离子发生装置通过改变施加到离子发生器的电极上的高电压可容易地改变从离子发生器产生的正或负离子的量,从而用户可方便地使用离子发生装置,而不论安装环境如何。

    空气净化器用过滤消毒器及其控制方法

    公开(公告)号:CN1727051A

    公开(公告)日:2006-02-01

    申请号:CN200510052457.8

    申请日:2005-02-28

    Inventor: 朴荣植 权埈铉

    CPC classification number: A61L2/202 A61L2/02 A61L9/22

    Abstract: 一种空气净化器用过滤消毒器以及控制方法。所述过滤消毒器包括用于净化室内空气的过滤器单元,以及用于控制对过滤器进行消毒的操作的控制器。所述控制器在空气净化模式中操作喷气扇和离子发生器,以对室内空气进行消毒,并在过滤器消毒模式中停止喷气扇的操作并独立操作离子发生器,以对过滤器单元进行消毒。过滤消毒器对用于净化空气的过滤器单元进行消毒,而没有单独的消毒装置,由此减小用户的经济负担并只是对过滤器单元进行消毒。

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