公开(公告)号：CN104022049A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410037347.3

申请日：2014-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩昌虎 ,  金大煜 ,  李珍宁 ,  崔诚元 ,  金炳勋 ,  朴瀚钦 ,  崔相镇 ,  具滋钦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G06F17/18 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/00 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种处理方法，包括：基于初始数据处理晶片；测量多个区域的每一个的误差；将多个区域中的至少一些区域的误差相似度计算为一些区域的每一对之间的分隔距离的函数；选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域；基于每一对第二区域之间的误差相似度和第一区域与每个第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值；基于第二区域的测量误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差；以及基于多个区域的每一个的估计误差来产生估计数据。

公开(公告)号：CN109817516A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811384728.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  朴荣植 ,  郭民根 ,  金炳勳 ,  金容彻 ,  李炫姃 ,  崔诚元

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。

公开(公告)号：CN104022049B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410037347.3

申请日：2014-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩昌虎 ,  金大煜 ,  李珍宁 ,  崔诚元 ,  金炳勋 ,  朴瀚钦 ,  崔相镇 ,  具滋钦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G06F17/18 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/00 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种处理方法，包括：基于初始数据处理晶片；测量多个区域的每一个的误差；将多个区域中的至少一些区域的误差相似度计算为一些区域的每一对之间的分隔距离的函数；选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域；基于每一对第二区域之间的误差相似度和第一区域与每个第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值；基于第二区域的测量误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差；以及基于多个区域的每一个的估计误差来产生估计数据。

公开(公告)号：CN109817516B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201811384728.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  朴荣植 ,  郭民根 ,  金炳勳 ,  金容彻 ,  李炫姃 ,  崔诚元

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。