公开(公告)号：CN107546122A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710426584.2

申请日：2017-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张胤京 ,  金相辰 ,  朴东云 ,  朴俊洙 ,  杨昌宰 ,  尹广燮 ,  朱惠卿

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。

公开(公告)号：CN116613144A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310105816.X

申请日：2023-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正贤 ,  金相辰 ,  金二权 ,  朴晟植 ,  金钟寿 ,  朴荣植 ,  李珍成 ,  朱惠卿

IPC: H01L23/544 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括套刻标记区域；以及在套刻标记区域上的多个标记图案。所述多个标记图案包括第一标记图案、第二标记图案、第三标记图案、第四标记图案、第五标记图案、第六标记图案和第七标记图案。第二标记图案至第七标记图案被排列为在顺时针方向上围绕第一标记图案并具有形成六边形形状的中心点。

公开(公告)号：CN107546122B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201710426584.2

申请日：2017-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张胤京 ,  金相辰 ,  朴东云 ,  朴俊洙 ,  杨昌宰 ,  尹广燮 ,  朱惠卿

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。