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公开(公告)号：CN119230528A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410817885.8
申请日：2024-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白承惠 , 金正贤 , 姜铉在 , 金一焕 , 金钟寿 , 朴荣植 , 李武䦫 , 赵相浩
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底；第一测试图案，其设置在半导体衬底上；以及第二测试图案，其与第一测试图案相邻。第一测试图案包括重叠图案，并且第二测试图案包括测试元件组。
