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公开(公告)号：CN116264817A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211596076.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器件包括：被钉扎层；在被钉扎层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的自由层结构，该自由层结构包括多个磁性层和分别在相邻的磁性层之间的多个金属插入层；以及在自由层结构上的上氧化物层，其中每个金属插入层包括掺有磁性材料的非磁性金属材料，所述多个金属插入层彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN102956813B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN102468425A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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公开(公告)号：CN114824061A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111596582.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。
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公开(公告)号：CN103633240B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310366932.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/3295 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468425B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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公开(公告)号：CN112216789B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202010392306.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。
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公开(公告)号：CN115768243A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211048369.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性装置包括种子图案、种子图案上的参考磁性结构、参考磁性结构上的自由磁性图案以及参考磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒。参考磁性结构包括：合成反铁磁(SAF)结构，其包括与所述种子图案的上表面接触的第一固定图案、与所述第一固定图案的上表面接触的反铁磁耦合图案以及与所述反铁磁耦合图案的上表面接触的第二固定图案；非磁性图案，其与所述第二固定图案的上表面接触；以及极化增强磁性图案，其与所述非磁性图案的上表面接触。
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公开(公告)号：CN114864626A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111449802.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造磁性存储器装置的方法，包括步骤：在衬底上形成包括底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极的数据存储结构；形成保形地覆盖数据存储结构的侧表面和顶表面的第一封盖电介质层；以及在第一封盖电介质层上形成第二封盖电介质层。通过其中第一源气体、第一反应气体和第一吹扫气体被供应的PECVD执行形成第一封盖电介质层的步骤。通过其中第二源气体、第二反应气体和第二吹扫气体被供应的PECVD执行形成第二封盖电介质层的步骤。第一反应气体和第二反应气体彼此不同。第一吹扫气体和第二吹扫气体彼此不同。
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公开(公告)号：CN112349829B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010391931.4
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结(MTJ)结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。
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