公开(公告)号：CN1897305B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610105583.X

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹在万 ,  朴东建 ,  李忠浩 ,  金圣求 ,  李元锡 ,  朴承培

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 垂直沟道半导体衬底包括具有柱子的半导体衬底，该柱子具有上表面。绝缘栅电极围绕柱子的外围。绝缘栅电极在比柱子的上表面低的垂直水平面上具有上表面，以垂直地将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开。第一源区/漏区在与柱子相邻的衬底中。第二源区/漏区设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面。接触焊盘接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区。

公开(公告)号：CN1855495B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610073547.X

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东建 ,  金洞院 ,  金旻相 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。

公开(公告)号：CN117836749A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280057204.1

申请日：2022-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘铉祐 ,  沈相元 ,  安银枝 ,  李宰明 ,  姜旼求 ,  金昌根 ,  朴东建 ,  辛雄基 ,  吴泳学 ,  李龙九 ,  张恩娥 ,  崔晸宇 ,  权甬 ,  沈慧珍 ,  柳硕铉 ,  田喜璟

IPC: G06F3/04883 ,  G06F3/01 ,  G06F3/04817 ,  G06F3/04842 ,  G06F3/04845 ,  G06F3/16

Abstract: 根据一种实施例的电子装置可以包括：触摸显示器；以及处理器，所述处理器控制所述触摸显示器显示第一图形示能表示；基于指示所述第一图形示能表示的输入，控制所述触摸显示器以利用第二图形示能表示替换所述第一图形示能表示的显示；在所述输入被保持的同时，控制所述触摸显示器以根据用户的动作使所述第二图形示能表示变形；以及基于所述输入的移动距离和所述输入是否被保持，执行与所述第一图形示能表示匹配的功能。

公开(公告)号：CN1855495A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073547.X

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东建 ,  金洞院 ,  金旻相 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。

公开(公告)号：CN1897305A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610105583.X

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹在万 ,  朴东建 ,  李忠浩 ,  金圣求 ,  李元锡 ,  朴承培

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 垂直沟道半导体衬底包括具有柱子的半导体衬底，该柱子具有上表面。绝缘栅电极围绕柱子的外围。绝缘栅电极在比柱子的上表面低的垂直水平面上具有上表面，以垂直地将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开。第一源区/漏区在与柱子相邻的衬底中。第二源区/漏区设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面。接触焊盘接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区。

公开(公告)号：CN1151550C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN00122482.4

申请日：2000-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟佑 ,  金允基 ,  朴东建

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种在集成电路器件中形成自对准结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成多个互连图形；用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面；在帽盖绝缘层上形成上部层间绝缘层填充互连图形之间的间隙区域；依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层在互连图形之间形成第一接触孔；以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层，拓宽第一接触孔形成第二接触孔，露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。此方法提高了工艺的可靠性。

公开(公告)号：CN1319886A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN00122482.4

申请日：2000-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟佑 ,  金允基 ,  朴东建

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种在集成电路器件中形成自对准结构的方法,包括以下步骤:在衬底上形成多个互连图形;用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面;在帽盖绝缘层上形成上部层间绝缘层填充互连图形之间的间隙区域;依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层在互连图形之间形成第一接触孔;以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层,拓宽第一接触孔形成第二接触孔,露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。此方法提高了工艺的可靠性。