公开(公告)号：CN105762148A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201511021210.X

申请日：2015-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯宗 ,  许伟华 ,  刘庭均 ,  李忠浩

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。

公开(公告)号：CN103296088A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。

公开(公告)号：CN101261995B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092022.X

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞哲 ,  崔炳镕 ,  李忠浩 ,  李根浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种非易失性存储器件包括第一导电类型的半导体衬底、在半导体衬底上的多条字线，每一条字线包括第二导电类型的浮栅。地选择线和串选择线位于字线的各侧。第二导电类型的掺杂区位于与地选择线相邻的第一字线之下。该器件还可以进一步包括第二导电类型的第二掺杂区，其位于与串选择线相邻的第二字线之下。在其它实施方式中，该器件可以进一步包括第二导电类型的第三掺杂区，其位于第一字线和第二字线之间的各第三字线之下。而且还提供了形成此类器件的方法。

公开(公告)号：CN101751997A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910226570.1

申请日：2009-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东郁 ,  崔正达 ,  李忠浩 ,  许星会 ,  刘民胎

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。

公开(公告)号：CN101211662A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301180.7

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆来 ,  玄在雄 ,  边成宰 ,  朴奎灿 ,  朴允童 ,  李忠浩

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C11/5628 ,  G11C2211/5648

Abstract: 本发明提供一种存储单元编程方法，在该存储单元编程方法中，使用多个阈值电压分布来执行第一至第n编程操作，以编入n位数据的第一至第n位。顺序地执行第一至第n编程操作。在第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的阈值电压差小于或等于在第一至第n－1编程操作中使用的阈值电压分布之间的阈值电压差中的至少一个。

公开(公告)号：CN103296088B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。

公开(公告)号：CN103325736B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310087395.9

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  闵信喆 ,  李钟昱 ,  李忠浩

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法。该方法包括：准备具有第一区域和第二区域的衬底；在第一区域和第二区域上形成鳍部，每个鳍部从所述衬底上突出且具有第一宽度；形成第一掩模图案，以暴露第一区域上的鳍部并覆盖第二区域上的鳍部；以及改变第一区域上的鳍部的宽度。

公开(公告)号：CN101626021B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200910140192.5

申请日：2009-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 ,  李忠浩 ,  崔晶东 ,  金泰瑢 ,  金宇中 ,  张桐熏 ,  尹永培 ,  金基玄 ,  刘民胎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。

公开(公告)号：CN103137621A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210486721.9

申请日：2012-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  卢铉弼 ,  李忠浩 ,  咸锡宪

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/8236 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L25/00 ,  H01L27/00 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括高压晶体管和低压晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，包括高压区和低压区；高压晶体管，形成在高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；以及低压晶体管，形成在低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极。第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度。

公开(公告)号：CN101459146B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810184643.0

申请日：2008-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙秀 ,  李忠浩 ,  赵慧珍

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括半导体芯片，其中，该半导体芯片包括半导体衬底和布置在该半导体衬底上的多个单元晶体管。单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度，并且该封装进一步包括具有在其上粘附有半导体芯片的上表面的支撑衬底。该支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在第一方向上将拉应力施加到半导体芯片的沟道区的方式弯曲。同时公开了相关的方法。