公开(公告)号：CN107546122A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710426584.2

申请日：2017-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张胤京 ,  金相辰 ,  朴东云 ,  朴俊洙 ,  杨昌宰 ,  尹广燮 ,  朱惠卿

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。

公开(公告)号：CN105470305B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510622878.3

申请日：2015-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨昌宰 ,  前田茂伸 ,  金昶和 ,  崔永文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。

公开(公告)号：CN107546122B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201710426584.2

申请日：2017-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张胤京 ,  金相辰 ,  朴东云 ,  朴俊洙 ,  杨昌宰 ,  尹广燮 ,  朱惠卿

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。

公开(公告)号：CN105470305A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510622878.3

申请日：2015-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨昌宰 ,  前田茂伸 ,  金昶和 ,  崔永文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/045 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。