半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107546122B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201710426584.2

    申请日:2017-06-08

    Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括:堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层;图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案;在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案,其中间隔物图案的间距是恒定的,并且间隔物图案的宽度是恒定的;去除第二牺牲图案;形成覆盖间隔物图案的掩模层;在掩模层上形成支持图案,其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度,并且支持图案与间隔物图案交叠;将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案;以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。

    自动聚焦系统、自动聚焦方法及使用该系统的曝光设备

    公开(公告)号:CN1776530A

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:CN200510125335.7

    申请日:2005-11-16

    Inventor: 朴东云

    CPC classification number: G03B27/52 G03F9/7026 G03F9/7088

    Abstract: 一种自动聚焦系统包括,其上安装衬底的载物台,以不同的角度用导向衬底的大量聚焦光束照射衬底的光源,探测从衬底反射的聚焦光束的传感器,以及控制器,根据由传感器探测聚焦光束的位置决定衬底表面的相对位置并由此放置衬底。为此,控制器执行计算,不受聚焦光束通过其传播到衬底表面的介质的折射率变化影响。因此,用较高的精度进行自动聚焦工序。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107546122A

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201710426584.2

    申请日:2017-06-08

    Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括:堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层;图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案;在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案,其中间隔物图案的间距是恒定的,并且间隔物图案的宽度是恒定的;去除第二牺牲图案;形成覆盖间隔物图案的掩模层;在掩模层上形成支持图案,其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度,并且支持图案与间隔物图案交叠;将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案;以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。

    自动聚焦系统、自动聚焦方法及使用该系统的曝光设备

    公开(公告)号:CN100476596C

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200510125335.7

    申请日:2005-11-16

    Inventor: 朴东云

    CPC classification number: G03B27/52 G03F9/7026 G03F9/7088

    Abstract: 一种自动聚焦系统包括,其上安装衬底的载物台,以不同的角度用导向衬底的大量聚焦光束照射衬底的光源,探测从衬底反射的聚焦光束的传感器,以及控制器,根据由传感器探测聚焦光束的位置决定衬底表面的相对位置并由此放置衬底。为此,控制器执行计算,不受聚焦光束通过其传播到衬底表面的介质的折射率变化影响。因此,用较高的精度进行自动聚焦工序。

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