公开(公告)号：CN104022049B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410037347.3

申请日：2014-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩昌虎 ,  金大煜 ,  李珍宁 ,  崔诚元 ,  金炳勋 ,  朴瀚钦 ,  崔相镇 ,  具滋钦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G06F17/18 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/00 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种处理方法，包括：基于初始数据处理晶片；测量多个区域的每一个的误差；将多个区域中的至少一些区域的误差相似度计算为一些区域的每一对之间的分隔距离的函数；选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域；基于每一对第二区域之间的误差相似度和第一区域与每个第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值；基于第二区域的测量误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差；以及基于多个区域的每一个的估计误差来产生估计数据。

公开(公告)号：CN117364058A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310258099.4

申请日：2023-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贤珠 ,  金炳勋 ,  金玹彻 ,  李在珩 ,  孔炳焕

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种衬底处理装置可以包括：内管，提供竖直地延伸的工艺空间；外管，包围内管；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，被配置为设置在工艺空间中。内管在第一位置处的第一内径可以与内管在第二位置处的第二内径不同，并且第二位置的高度可以高于第一位置的高度。

公开(公告)号：CN111987016A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010447216.8

申请日：2020-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳勋 ,  孔炳焕 ,  裴承龙 ,  安在铉

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 一种衬底处理设备，包括：工艺腔室；支撑部，其设置在工艺腔室中，具有其中安置有衬底的衬底装载区；加热部，其设置在与衬底装载区相对的位置中以加热衬底装载区；以及反射构件，其设置在工艺腔室中的与衬底装载区相对的位置中，密封中空部设置在所述反射构件中。

公开(公告)号：CN111987016B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202010447216.8

申请日：2020-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳勋 ,  孔炳焕 ,  裴承龙 ,  安在铉

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 一种衬底处理设备，包括：工艺腔室；支撑部，其设置在工艺腔室中，具有其中安置有衬底的衬底装载区；加热部，其设置在与衬底装载区相对的位置中以加热衬底装载区；以及反射构件，其设置在工艺腔室中的与衬底装载区相对的位置中，密封中空部设置在所述反射构件中。

公开(公告)号：CN104022049A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410037347.3

申请日：2014-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩昌虎 ,  金大煜 ,  李珍宁 ,  崔诚元 ,  金炳勋 ,  朴瀚钦 ,  崔相镇 ,  具滋钦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G06F17/18 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/00 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种处理方法，包括：基于初始数据处理晶片；测量多个区域的每一个的误差；将多个区域中的至少一些区域的误差相似度计算为一些区域的每一对之间的分隔距离的函数；选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域；基于每一对第二区域之间的误差相似度和第一区域与每个第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值；基于第二区域的测量误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差；以及基于多个区域的每一个的估计误差来产生估计数据。