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公开(公告)号：CN110299282B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910116607.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119057672A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410020291.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了化学机械抛光(CMP)设备的抛光头和分段式头模块。所述CMP设备的抛光头可以包括头部块、分配块和分段式头模块。头部块可以被构造为定位在基底上方。分配块可以相对于竖直方向可旋转地连接到头部块的下表面。多个压力管线可以连接到分配块并且被构造为使工作流体通过其流过。分段式头模块可以连接到分配块的下表面。分段式头模块可以被构造为与分配块一起相对于竖直方向旋转。分段式头模块可以被构造为使用通过压力管线提供的工作流体对基底进行局部加压。
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公开(公告)号：CN115464553A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210557040.0
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了调节盘更换设备和方法。所述调节盘更换设备包括：拆卸器，被配置为将调节盘与保持器分开；传送部，被配置为传送调节盘；以及容器，被配置为储存调节盘。拆卸器包括拆卸体和结合到拆卸体的旋转部，旋转部包括在第一水平方向上从旋转部向外突出的键，并且旋转部被配置为围绕在第一水平方向上延伸的轴旋转。
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公开(公告)号：CN118238069A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311767534.2
申请日：2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B49/12
Abstract: 一种用于CMP装置的清洁器包括清洁体、多个清洁喷嘴、视觉系统和控制器。清洁体可以布置在配置为保持基板的CMP装置的抛光头下方。清洁体可以被配置为接收用于清洁抛光头的清洁溶液。清洁喷嘴可以布置在清洁体处以将清洁溶液喷射到抛光头。视觉系统可以对清洁溶液可喷射到其的抛光头拍照以获得抛光头的图像。控制器可以基于抛光头的图像单独地控制从清洁喷嘴喷射的清洁溶液的量。因此，在基板处不会产生由缺陷引起的划痕。
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公开(公告)号：CN110299282A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910116607.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。
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公开(公告)号：CN119927790A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411516254.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种抛光头可以包括：衬底载体，其可拆卸地固定到驱动轴上，并且对衬底进行加压并旋转衬底，衬底载体包括柔性膜，其中，柔性膜包括主薄膜和多个竖直薄膜，主薄膜具有与衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，多个竖直薄膜在竖直方向上从主薄膜延伸以限定多个加压室，多个加压室关于中心轴沿着径向方向划分；多个温度元件，其在主薄膜中设置在多个加压室下方，并且被构造为将局部热量施加到衬底；以及多个压力元件，其在主薄膜中分别设置在多个温度元件上，并且被构造为将局部压力施加到主薄膜。
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