公开(公告)号：CN110783222A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。

公开(公告)号：CN110299282B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910116607.9

申请日：2019-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  金旼亨 ,  刘钒镇 ,  张原赫 ,  方政民 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

公开(公告)号：CN110783222B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。

公开(公告)号：CN110299282A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910116607.9

申请日：2019-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  金旼亨 ,  刘钒镇 ,  张原赫 ,  方政民 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。