Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"金梥坨" Page 1

1.

发明公开
制造存储器装置的方法无效

公开(公告)号：CN110890462A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910603772.7

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹正铉 , 金梥坨 , 寺井真之

IPC: H01L43/12 , H01L45/00 , H01L43/02 , H01L27/22 , H01L27/24

Abstract: 提供了一种制造存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成晶体管；形成覆盖晶体管的下层间绝缘层；在下层间绝缘层上形成氢供应层；在氢供应层上形成氢阻挡层；对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火；在对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火之后，在氢阻挡层上形成存储器单元；以及形成围绕存储器单元的上层间绝缘层。

Patent Agency Ranking