公开(公告)号：CN113971983A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110801399.3

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世桓 ,  金真怜 ,  朴一汉 ,  姜奎满 ,  南尚完

IPC: G11C29/42 ,  G11C29/50

Abstract: 一种非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块，每个所述存储块包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行译码器，所述行译码器被配置为基于地址在所述多个存储块当中选择一个存储块；电压发生器，所述电压发生器被配置为施加与所述多条字线当中的选定字线和未选字线相对应的字线电压；页面缓冲器，所述页面缓冲器连接到所述多条位线，并且被配置为从与所述多个存储块当中的所选择的存储块的所述选定字线当中的一条字线连接的存储单元读取数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述行译码器、所述电压发生器和所述页面缓冲器。

公开(公告)号：CN107886982A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710888700.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金采勋 ,  姜奎满 ,  劝兑哄 ,  李泰润 ,  千镇泳

IPC: G11C7/08 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C5/145 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C27/02 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C7/08 ,  G11C5/147

Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。

公开(公告)号：CN115881195A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210904029.7

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曺溶成 ,  徐民宰 ,  姜奎满 ,  金炳秀

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种具有垂直沟道结构的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元和多条串选择线；负电荷泵，被配置为生成负电平的偏置电压，偏置电压将施加到多条串选择线中的至少一条串选择线；以及控制逻辑电路，被配置为针对第一时段将预脉冲电压施加到多条串选择线之中的除了与从多个存储器单元之中选择的存储器单元连接的选择的串选择线之外的至少一条未选择的串选择线，并且此后将偏置电压施加到所述至少一条未选择的串选择线，以对选择的存储器单元执行读取操作。

公开(公告)号：CN107886982B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201710888700.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金采勋 ,  姜奎满 ,  劝兑哄 ,  李泰润 ,  千镇泳

IPC: G11C7/08 ,  G11C5/14

Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。

公开(公告)号：CN115708159A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202210961110.9

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  姜奎满 ,  金珉辉 ,  朴一汉 ,  千镇泳

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C7/04

Abstract: 提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器电路，其通过多条位线连接至存储器单元阵列，并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器，页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器；以及控制电路，其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管，并且其中，控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。

公开(公告)号：CN115331725A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210044461.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承范 ,  姜奎满

IPC: G11C29/56

Abstract: 在测试包括第一半导体层和先于第二半导体层而形成的第二半导体层的非易失性存储设备的方法中，在第二半导体层中设置有包括页面缓冲电路的电路元件；通过在位线连接电路的内部节点与接收第一电压的电压端子之间提供导电路径，模拟未连接到页面缓冲电路的非易失性存储单元的导通状态，位线连接电路连接在页面缓冲电路的感测节点与位线节点之间；在模拟导通状态时，在页面缓冲电路中执行感测和锁存操作；以及基于感测和锁存操作的结果，确定页面缓冲电路是否正常工作。

公开(公告)号：CN111179985A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911069538.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵斗晧 ,  姜奎满 ,  边大锡 ,  宋仲镐 ,  尹治元

IPC: G11C7/20 ,  G11C16/20

Abstract: 一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，该存储器块包括多条字线和多条串选择线，该方法包括向多条串选择线施加电压；将穿过块的位线转换成浮动状态；以及释放位线的浮动状态。