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公开(公告)号：CN112017704A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010361222.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 千镇泳
Abstract: 一种页面缓冲器，包括充电电路、第一和第二存储电路以及选择电路。充电电路在预充电期间对位线进行充电。第一存储电路确定并存储充电电路对位线进行充电时与连接到位线的存储器单元当中的所选择的存储器单元的状态相对应的数据。作为与第一存储电路分开的电路的第二存储电路确定并存储预充电时间段之后与所选择的存储器单元的状态相对应的数据。选择电路输出控制电压，该控制电压控制连接在位线和充电电路之间的开关元件，并且基于存储在第一存储电路中的数据来确定预充电期间控制电压的大小。
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公开(公告)号：CN107886982A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710888700.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C5/145 , G11C7/06 , G11C7/12 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C27/02 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C7/08 , G11C5/147
Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。
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公开(公告)号：CN107886982B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710888700.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。
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公开(公告)号：CN115708159A
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210961110.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器电路，其通过多条位线连接至存储器单元阵列，并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器，页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器；以及控制电路，其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管，并且其中，控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。
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公开(公告)号：CN107393590B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201710218129.3
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种包括排列在多个单元串中的多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法包括：顺序地在第一间隔期间将第一通过电压施加到连接到多个存储单元的字线的未选择的字线并在第二间隔期间将高于第一通过电压的第二通过电压施加到未选择的字线；以及在第一间隔中将编程电压施加到连接到多个存储单元的字线的选择的字线之后，将低于编程电压的放电电压施加到选择的字线，以及在第二间隔期间将编程电压施加到选择的字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118629469A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410262141.4
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供用于减少编程电压上升时间的方法及装置。在一些实施例中，闪存存储器包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；目标电压生成器，其被配置为调整提供给多个存储器单元的字线恢复电压的目标电压电平；以及字线电压控制器，其被配置为提供用于控制字线恢复电压的目标电压电平的恢复控制信号。目标电压生成器还被配置为基于在编程验证操作之后的字线恢复操作期间提供的恢复控制信号，将提供给选择的字线的字线恢复电压调整到目标电压电平，并且通过调整目标电压电平来减少下一编程循环的编程执行操作时段中的编程电压上升时间。
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公开(公告)号：CN118173148A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311679764.3
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有包括目标存储器块的多个存储器块。提供了电压生成器，电压生成器被配置为生成擦除电压和行线电压，擦除电压和行线电压被提供给将被执行擦除操作的目标存储器块。提供了控制逻辑，控制逻辑被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。此外，在操作期间，擦除电压被提供给与目标存储器块相关联的位线和共源极线中的至少一条，并且在擦除电压被提供给目标存储器块的位线和共源极线中的所述至少一条之前，被提供擦除电压的晶体管的栅极线被预充电。
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公开(公告)号：CN107230496B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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公开(公告)号：CN107230496A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/28
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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