页面缓冲器和包括其的存储器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112017704A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010361222.1

    申请日:2020-04-30

    Inventor: 千镇泳

    Abstract: 一种页面缓冲器,包括充电电路、第一和第二存储电路以及选择电路。充电电路在预充电期间对位线进行充电。第一存储电路确定并存储充电电路对位线进行充电时与连接到位线的存储器单元当中的所选择的存储器单元的状态相对应的数据。作为与第一存储电路分开的电路的第二存储电路确定并存储预充电时间段之后与所选择的存储器单元的状态相对应的数据。选择电路输出控制电压,该控制电压控制连接在位线和充电电路之间的开关元件,并且基于存储在第一存储电路中的数据来确定预充电期间控制电压的大小。

    补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法

    公开(公告)号:CN107886982B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN201710888700.2

    申请日:2017-09-27

    Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括:通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此,读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后,在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器,使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。

    执行温度补偿的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器装置

    公开(公告)号:CN115708159A

    公开(公告)日:2023-02-21

    申请号:CN202210961110.9

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;页缓冲器电路,其通过多条位线连接至存储器单元阵列,并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器,页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器;以及控制电路,其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管,并且其中,控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。

    减少编程上升时间的闪存存储器及其编程方法

    公开(公告)号:CN118629469A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410262141.4

    申请日:2024-03-07

    Abstract: 本公开提供用于减少编程电压上升时间的方法及装置。在一些实施例中,闪存存储器包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;目标电压生成器,其被配置为调整提供给多个存储器单元的字线恢复电压的目标电压电平;以及字线电压控制器,其被配置为提供用于控制字线恢复电压的目标电压电平的恢复控制信号。目标电压生成器还被配置为基于在编程验证操作之后的字线恢复操作期间提供的恢复控制信号,将提供给选择的字线的字线恢复电压调整到目标电压电平,并且通过调整目标电压电平来减少下一编程循环的编程执行操作时段中的编程电压上升时间。

    存储器装置和存储器装置的擦除方法

    公开(公告)号:CN118173148A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311679764.3

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,存储器单元阵列中具有包括目标存储器块的多个存储器块。提供了电压生成器,电压生成器被配置为生成擦除电压和行线电压,擦除电压和行线电压被提供给将被执行擦除操作的目标存储器块。提供了控制逻辑,控制逻辑被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。此外,在操作期间,擦除电压被提供给与目标存储器块相关联的位线和共源极线中的至少一条,并且在擦除电压被提供给目标存储器块的位线和共源极线中的所述至少一条之前,被提供擦除电压的晶体管的栅极线被预充电。

    最优化对数似然比的方法以及纠错方法和设备

    公开(公告)号:CN104052498B

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201410096588.5

    申请日:2014-03-14

    Abstract: 提供了一种最优化用于纠正与存储在非易失性存储器设备中的数据有关的错误的对数似然比(LLR)的方法。在该方法中,监控包括在非易失性存储器设备中的多个存储器单元的阈值电压分布的变化,并且基于监控结果更新用于存储器单元的LLR。即使存储器单元的特性退化,LLR仍持续地维持在最优值。

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