公开(公告)号：CN116017973A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211267863.6

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳秀 ,  南尚完 ,  徐民宰 ,  任琫淳

IPC: H10B10/00 ,  H10B12/00 ,  H10B20/00 ,  H10B41/00 ,  H10B43/00 ,  H10B51/00 ,  H10B53/00

Abstract: 一种存储器件，包括被分隔区域分隔开的第一单元阵列区域和第二单元阵列区域，该第一单元阵列区域和该第二单元阵列区域中的每一者包括至少一个存储块，该存储块具有在第一方向上堆叠的多个栅电极层。该栅电极层包括上选择电极层和第一电极层，该上选择电极层包括多条串选择线，该第一电极层包括布置在该多条串选择线下方的多条第一字线。该第一字线包括第一连接线和多条第二连接线，该第一连接线将该第一字线的远离该分隔区域的第一端部彼此连接，该第二连接线将该多条第一字线的与该分隔区域相邻的一些第二端部彼此连接，其中，每一条第二连接线比该第一连接线短。

公开(公告)号：CN110365338A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910234763.5

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金钟汃 ,  金叡淡 ,  柳承卓 ,  徐民宰 ,  陈东焕

IPC: H03M1/38

Abstract: 提供一种用于跳过复位的模数转换器(ADC)和模数转换方法。所述ADC跳过复位操作，在维持先前周期中的与第二位组对应的电容器单元的连接的同时，调节与第一位组对应的电容器单元的连接，并输出与模拟信号对应的数字信号。

公开(公告)号：CN110365338B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201910234763.5

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金钟汃 ,  金叡淡 ,  柳承卓 ,  徐民宰 ,  陈东焕

IPC: H03M1/38

Abstract: 提供一种用于跳过复位的模数转换器(ADC)和模数转换方法。所述ADC跳过复位操作，在维持先前周期中的与第二位组对应的电容器单元的连接的同时，调节与第一位组对应的电容器单元的连接，并输出与模拟信号对应的数字信号。

公开(公告)号：CN116137175A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211443140.7

申请日：2022-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千镇泳 ,  徐民宰 ,  金武星

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了页缓冲器电路以及包括该页缓冲器电路的存储器件。一种非易失性存储器件包括：存储单元；位线，所述位线连接到所述存储单元；第一交叉耦合反相器，所述第一交叉耦合反相器用于存储通过连接到所述位线的读出节点从所述存储单元读出的数据；第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别连接到所述第一交叉耦合反相器的相应端并且分别将接地电压传输到所述第一交叉耦合反相器的所述相应端；以及控制电路，所述控制电路用于在初始化时段和预充电时段中的至少一者内操作所述第一晶体管和所述第二晶体管至少一次，在所述初始化时段中所述读出节点被放电，在所述预充电时段中所述位线被预充电。

公开(公告)号：CN115881195A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210904029.7

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曺溶成 ,  徐民宰 ,  姜奎满 ,  金炳秀

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种具有垂直沟道结构的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元和多条串选择线；负电荷泵，被配置为生成负电平的偏置电压，偏置电压将施加到多条串选择线中的至少一条串选择线；以及控制逻辑电路，被配置为针对第一时段将预脉冲电压施加到多条串选择线之中的除了与从多个存储器单元之中选择的存储器单元连接的选择的串选择线之外的至少一条未选择的串选择线，并且此后将偏置电压施加到所述至少一条未选择的串选择线，以对选择的存储器单元执行读取操作。