公开(公告)号：CN107886982A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710888700.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金采勋 ,  姜奎满 ,  劝兑哄 ,  李泰润 ,  千镇泳

IPC: G11C7/08 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C5/145 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C27/02 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C7/08 ,  G11C5/147

Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。

公开(公告)号：CN107886982B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201710888700.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金采勋 ,  姜奎满 ,  劝兑哄 ,  李泰润 ,  千镇泳

IPC: G11C7/08 ,  G11C5/14

Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。