公开(公告)号：CN117596879A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310488620.3

申请日：2023-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千相勋 ,  崔镐永 ,  朴海莉 ,  韩智勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  G11C11/401 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了一种半导体装置和电子系统。该半导体装置包括：第一栅极堆叠件，其包括第一绝缘图案和第一导电图案；第一栅极堆叠件上的第二栅极堆叠件，第二栅极堆叠件包括第二绝缘图案和第二导电图案；穿过第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的存储器沟道结构；穿过第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的穿通接触件；以及穿通接触件的相对侧上的屏障图案，第一绝缘图案包括第一连接绝缘图案，第一连接绝缘图案是最上面的一个第一绝缘图案，第二绝缘图案包括与第一连接绝缘图案的顶表面接触的第二连接绝缘图案，屏障图案的底表面与第一连接绝缘图案的顶表面接触，屏障图案的顶表面与第二连接绝缘图案接触。

公开(公告)号：CN115547983A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210737888.1

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑煐陈 ,  金素罗 ,  朴海莉 ,  柳贵衍 ,  尹壮根

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种集成电路装置和电子系统。根据本发明构思的集成电路装置包括：半导体衬底，其包括单元区和连接区；栅极堆叠件，其包括多个栅电极和多个绝缘层，多个栅电极和多个绝缘层在水平方向上在半导体衬底的主表面上延伸，并且在竖直方向上交替地堆叠在半导体衬底的主表面上，栅极堆叠件在连接区中具有阶梯结构；以及连接区中的多个接触插塞，其中，在连接区的一部分中，多个栅电极中的位于最下层中的第一栅电极在水平方向上的第一长度小于位于第一栅电极上方的第二栅电极在水平方向上的第二长度。