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公开(公告)号：CN115589726A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210846720.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；栅电极，其在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，在第一方向上延伸，并且各自包括沟道层；分离区，其穿透栅电极，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此分离开；以及裂纹防止层，其设置在分离区的至少一部分上，其中，分离区中的每一个包括下区和上区，上区在下区上在第二方向上彼此分离开并且从下区向上突出，并且其中，裂纹防止层接触上区的上表面。
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