公开(公告)号：CN118412371A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311512834.6

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪兑允 ,  尹壮根 ,  金显浩 ,  韩智勋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一种场效应晶体管包括：水平沟道层；层间绝缘层，在水平沟道层上；栅电极层，在层间绝缘层上；第一竖直沟道结构，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的一个；以及第二竖直沟道结构，在水平方向上与第一竖直沟道结构分开，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的另一个。

公开(公告)号：CN117440689A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310624659.3

申请日：2023-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴庆训 ,  闵柱盛 ,  白在馥 ,  张东爀 ,  千相勋 ,  韩智勋 ,  洪兑允

IPC: H10B43/20 ,  H10B43/40

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：外围电路结构，其包括电路、布线层和通路接触；板公共源极线，其覆盖所述外围电路结构；绝缘插塞，其穿过所述板公共源极线；横向绝缘间隔物，其位于所述外围电路结构与所述板公共源极线之间；存储堆叠结构，其包括位于所述板公共源极线上的栅极线；贯通接触，其穿过所述栅极线中的至少一条栅极线和所述绝缘插塞，所述贯通接触连接到所述通路接触中的第一通路接触；以及源极线接触，其穿过所述横向绝缘间隔物，所述源极线接触位于所述通路接触中的第二通路接触与所述板公共源极线之间，其中，在横向方向上所述第一通路接触的宽度大于所述绝缘插塞的宽度。

公开(公告)号：CN118039612A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310689371.4

申请日：2023-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵柱盛 ,  白在馥 ,  尹泽硅 ,  崔升旭 ,  韩智勋 ,  洪兑允

IPC: H01L23/64

Abstract: 提供了半导体器件和形成图案的方法。半导体器件包括具有尖角的有源图案。半导体器件包括包含衬底的外围电路、和衬底上的有源图案。当在平面图中观察时，有源图案是蛇形的，并且拐角具有彼此不同的形状。

公开(公告)号：CN117812913A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202310545947.X

申请日：2023-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵柱盛 ,  朴庆训 ,  白在馥 ,  张东爀 ,  韩智勋 ,  洪兑允

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括多个突出部、第一沟槽和第二沟槽，多个突出部从衬底的上表面突出并且沿彼此相交的第一方向和第二方向二维布置，第一沟槽沿第一方向设置在突出部之间，第二沟槽沿第二方向设置在突出部之间；第一器件隔离层，填充第一沟槽；栅极图案，设置在沿第二方向的突出部上，突出部的上表面分别在栅极图案的两侧暴露；以及第二器件隔离层，填充在第二方向上的栅极图案之间的空间和第二沟槽，并且每个栅极图案具有与第二沟槽相邻并且与第二沟槽的内壁对齐的第一侧壁。