公开(公告)号：CN117596879A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310488620.3

申请日：2023-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千相勋 ,  崔镐永 ,  朴海莉 ,  韩智勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  G11C11/401 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了一种半导体装置和电子系统。该半导体装置包括：第一栅极堆叠件，其包括第一绝缘图案和第一导电图案；第一栅极堆叠件上的第二栅极堆叠件，第二栅极堆叠件包括第二绝缘图案和第二导电图案；穿过第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的存储器沟道结构；穿过第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的穿通接触件；以及穿通接触件的相对侧上的屏障图案，第一绝缘图案包括第一连接绝缘图案，第一连接绝缘图案是最上面的一个第一绝缘图案，第二绝缘图案包括与第一连接绝缘图案的顶表面接触的第二连接绝缘图案，屏障图案的底表面与第一连接绝缘图案的顶表面接触，屏障图案的顶表面与第二连接绝缘图案接触。

公开(公告)号：CN117715428A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310874039.5

申请日：2023-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔镐永 ,  千相勋 ,  韩智勋

IPC: H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和电子系统。半导体存储器装置包括第一衬底、外围电路结构、以及包括单元阵列区与单元阵列接触区的单元阵列结构。单元阵列结构包括第二衬底、包括第一堆叠结构和第二堆叠结构的堆叠结构、单元阵列区中的竖直沟道结构、以及单元阵列接触区中的单元接触插塞。单元接触插塞包括第一柱状部和第一突出部。在第一突出部的顶表面的水平处，第一宽度被给定为第一突出部的外周界处的最大直径。在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的界面的水平处，第二宽度被给定为竖直沟道结构的最大宽度。第一宽度大于第二宽度。