公开(公告)号：CN108009310B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201711033038.9

申请日：2017-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乌迪德·莫卡 ,  全倧旭 ,  町田顕 ,  权义熙

IPC: G06F30/367 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  G06F111/10

Abstract: 一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。

公开(公告)号：CN108009310A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711033038.9

申请日：2017-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乌迪德·莫卡 ,  全倧旭 ,  町田顕 ,  权义熙

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06F17/18 ,  G06F2217/02 ,  H01L23/556 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  G06F2217/16

Abstract: 一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。