铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法

    公开(公告)号:CN100436645C

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200410006062.X

    申请日:2004-02-27

    Inventor: 户田健次

    Abstract: 提供一种能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。是按规定的形状在电绝缘基材(1)上形成的铜层(2a)上进行蚀刻并形成铜配线(2c)的电子基板的制造方法,主蚀刻后,通过含有(a)铜的氧化剂1~50克/升和、(b)盐酸1~200克/升以及或者有机酸1~400克/升和、(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01~50克/升的水溶液除去铜配线(2b)的底部残存的应除去的铜(A)。

    蚀刻液
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1506496A

    公开(公告)日:2004-06-23

    申请号:CN200310118884.2

    申请日:2003-12-04

    Abstract: 本发明提供一种可将镍、铬或镍·铬合金迅速溶解,并可抑制铜腐蚀的蚀刻液。它是将1~50重量%的硫酸、0.1~20重量%的盐酸、0.01~20重量%的具有捕捉铜离子功能的铜腐蚀抑制成分与水配制成蚀刻液。上述铜腐蚀抑制成分可以是例如含有硫原子、且含有至少一种选自氨基、亚氨基、羧基、羰基及羟基中的取代基的碳原子数为7以下的化合物;噻唑;噻唑类化合物;苄烷铵以及烷基醇酰胺等。

    银处理剂、银的处理方法和导体图案的形成方法

    公开(公告)号:CN102154645A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110033678.6

    申请日:2011-01-31

    Inventor: 出口友香里

    Abstract: 本发明的课题是,提供可以安全地处理银,且在形成银的导体图案时,可以如所希望的图案那样形成图案,且图案侧面的形状良好的银处理剂、银的处理方法和导体图案的形成方法。本发明提供了一种银处理剂,其特征在于,含有:卤素离子,铜离子和/或铁离子,以及,选自咪唑、在1位、2位或4位的碳原子或氮原子上具有碳原子数为1~4的烷基取代基的咪唑化合物和1,2-二烷基咪唑中的至少一种化合物,本发明还提供了银的处理方法和使用该银处理剂的导体图案形成方法。

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